В процессе производства подложки SiC (карбида кремния) резка слитка SiC является решающим этапом. Это не только напрямую определяет качество поверхности и точность размеров основы, но также оказывает решающее влияние на контроль затрат. Ключевые параметры, определяемые процессом резки, такие как шероховатость поверхности (Ra), общее отклонение толщины (TTV), коробление (BOW) и изгиб (WARP), оказывают глубокое влияние на конечное качество, выход и себестоимость основы. . Кроме того, качество резки также напрямую связано с эффективностью и стоимостью последующих процессов шлифовки и полировки. Таким образом, развитие и прогресс технологии резки слитков SiC имеют большое значение для повышения уровня всей отрасли по производству подложек из карбида кремния .
Алмазное пильное полотно, циркулярное пильное полотно, устранение, большая разница Ra, большая деформация, широкая щель, низкая скорость, низкая точность, громкий шум
Электрическая искра: проволока + ток, исключена, широкая щель, большая толщина поверхностного слоя ожога
Линия раствора: медная проволока из нержавеющей стали + раствор, тонкая пластина, высокая производительность, низкие потери, низкая скорость и низкая точность, загрязнение окружающей среды, малый срок службы проволочной пилы
Алмазная проволока: консолидированный абразив + алмазная проволока, высокая эффективность, узкая щель, защита окружающей среды, слой глубоких повреждений, быстрый износ лески, деформация подложки
Во-первых, статус-кво технологии резки слитков SiC
С развитием науки и техники технология резки слитков SiC достигла значительного прогресса. В настоящее время основные технологии резки в основном включают резку минометной проволокой, резку алмазной проволокой и технологию лазерной зачистки. Эти технологии различаются по эффективности резки, качеству поверхности, стоимости и т. д., что обеспечивает множество вариантов изготовления подложек из SiC.
Во-вторых, анализ основных характеристик технологии резки
1. Резка растворной проволокой. В качестве традиционной технологии резки растворная проволока разрезает слиток SiC через линию, содержащую абразив и раствор. Хотя этот метод недорогой и его легко применять в массовом производстве, он медленно режется и может оставить глубокий поврежденный слой на поверхности подложки, что влияет на последующую эффективность обработки и качество подложки.
2. Резка алмазной проволокой. В технологии резки алмазной проволокой в качестве абразива используются алмазные частицы для резки слитка SiC на высокоскоростных вращающихся линиях. Этот метод отличается не только высокой скоростью резки, но и неглубоким поверхностным слоем повреждения, что помогает улучшить качество и выход материала. Таким образом, технология резки алмазной проволокой постепенно широко используется в области производства подложек SiC.
3. Технология лазерной зачистки. Технология лазерной зачистки — это новый метод резки, в котором для отделения слитка SiC используется термический эффект лазерного луча. Эта технология может обеспечить очень точную резку, значительно уменьшая повреждение носителя и, таким образом, улучшая его качество. Однако из-за относительно высокой стоимости в настоящее время технология лазерной зачистки в основном используется в высокотехнологичных областях.
В-третьих, влияние технологии резки на качество основы и последующие процессы
Выбор технологии резки не только влияет непосредственно на качество подложки SiC, но также оказывает важное влияние на ее последующую обработку. Высококачественная технология резки позволяет уменьшить повреждение поверхности подложки, снизить сложность и стоимость шлифовки и полировки, тем самым повышая эффективность и результативность всего производственного процесса. Поэтому в процессе производства подложки SiC очень важно выбрать правильную технологию резки.
Таким образом, развитие и прогресс технологии резки слитков SiC имеют большое значение для улучшения качества, эффективности и контроля затрат SiC-подложки. Благодаря постоянному прогрессу науки и техники и усилению рыночной конкуренции будущая технология резки слитков SiC будет развиваться в направлении более эффективной, точной и экономичной. В то же время, с быстрым развитием новой энергетики, полупроводников и других областей, рыночный спрос на подложку SiC будет продолжать расти, обеспечивая широкое пространство и возможности для развития технологии резки слитков SiC.
